現代人越來越多數據需要儲存,因此意味着需要更大的記憶體。Samsung 近日宣佈推出業界首個基於 High-K Metal Gate(HKMG)製程的 512GB DDR5 模組,為 DDR5 DRAM 的產品再增一員,其性能是 DDR4 的兩倍以上,而且速度可達 7,200 Mbps。
Samsung 近日推出新款的 DDR5 記憶體,是業界首個基於 High-K Metal Gate(HKMG)製程的 512GB DDR5 模組。基於 HKMG 技術的 DDR5,性能是 DDR4 的兩倍以上,而且速度可達 7,200 Mbps。而和之前產品相比,新推出的 DDR5 記憶體功耗降低約 13%,且透過矽穿孔(TSV)技術,可以堆疊八層 16Gb DRAM 晶片,實現最大的 512GB 容量。
Samsung 表示,隨著 DRAM 結構不斷縮小,絕緣層變薄,使得電流更容易洩漏,而採用 HKMG 技術,將可以減少電流洩露的機會率並進一步提升記憶體性能。Samsung 亦指出,隨著數據量發展一日千里,記憶體朝 DDR5 發展絕對會成為一大趨勢。而透過 HKMG 技術所製成的 DDR5,將可滿足不同範疇的需求。
資料來源:Samsung
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