韓國 Samsung 電子技術部門高層日前透露，該公司的 3 納米製程領先主要競爭對手台積電。利用該公司最新 GAA 技術，能夠縮減晶片面積達 45%，功率效率增加 50%。
日前 Samsung 電子裝置解決方案事業部門技術長 Jeong Eun-seung 在一個網絡技術論壇中透露，Samsung 開發中的 GAA 技術已領先主要對手台積電。一旦鞏固這項技術，該公司的晶圓代工事業可得到更好的成長。三星指雖然他們的晶圓代工事業在 2017 年才開始，但憑著記憶晶片領域所得到的技術根基，可超越台積電。
Samsung 的環繞閘極 GAA 技術是 3 納米製程的主要關鍵，此技術改變電晶體架構，從鰭式場效電晶體的 3D 轉變成 GAA 技術的 4D。經測試後，其晶片縮減面積達 45%，功率效率增加 50%。台積電則在較早前透露他們會沿用鰭式場效電晶體架構應用在 3 納米製程量產。
資料來源：聯合新聞網
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