在加州舉辦的 IEDM 2021 國際電子元件會議中，IBM 和 Samsung 宣布，在半導體設計方面有重大進展，可讓晶片垂直堆疊。新的垂直傳輸場效電晶體（VTFET）設計旨在取代當前用於當今一些最先進的 FinFET 技術，並允許晶片比現時的晶體管排列得更密集。從本質上，新設計將垂直堆疊晶體管，允許電流在晶體管堆疊中上下流動，而不是目前大多數晶片上使用的左右水平佈局。
相對傳統電晶體以水平方式堆疊形式設計，垂直傳輸場效電晶體能增加電晶體數量，運算速度可提升 2 倍。受惠於垂直設計，能讓電流更易通過，電力損耗可降低 85%。
按新設計推算，手機充電一次，可使用長達一周。唯現時 IBM 和 Samsung 仍未透露何時將新技術應用至產品上，預期將會有進一步消息。
來源：The Verge
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