去年 11 月發表的 Snapdragon 8 Gen 2 是 Qualcomm 最新和最高階的流動處理器，採用 4nm 製程技術和 1+4+3 架構，由一枚 3.2GHz Cortex X3 超大核心、四枚 2.8GHz Cortex-A715 及 A710 效能核心和三枚 2GHz 的 Cortex-A510 節能核心構成。日前有指下一代 Snapdragon 8 Gen 3 的架構，將會有重大的轉變。
來自中國的爆料指 Qualcomm 將會在 Snapdragon 8 Gen 3 上改用 1+5+2 架構，以效能核心取代節能核心。超大核心據說是為 3.2GHz Cortex-X4，搭配五枚 3.0GHz Cortex-A720 和兩枚 2.0GHz Cortex-A520 節能核心。Snapdragon 8 Gen 3 的其他規格亦有提升，例如圖像處理器由 Adreno 740 改為 Adreno 750，
Snapdragon 8 Gen 3 的儲存亦由 UFS 4.0 升級至 UFS 4.1，兩者同樣支援 LPDDR5 7500Mbps 記憶體，其 5G Modem 會由 Snapdragon X70 升級成 Snapdragon X75，據說能效比會有 20% 的提升。爆料亦相信 Snapdragon 8 Gen 3 會交由台積電生產，但 Qualcomm 亦有機會將代工責任給予 Samsung。
資料及圖片來源：gizmochina
unwire.hk Mewe 專頁： https://mewe.com/p/unwirehk
ARM 與 Qualcomm 晶片授權官司初判 Qualcomm 初步勝訴但 ARM 已申請重審 全球首款 Snapdragon X Elite 桌面電腦 Geekom QS1 Pro 現身定價高昂 Qualcomm 發表全新晶片 專為智能家居裝置而設