香港科技園公司與麻省光子技術（Mass Photon）啟動香港首條超高真空「第三代半導體氮化鎵外延片中試線」。麻省光子技術計劃在科學園設立全港首個第三代半導體氮化鎵（GaN）外延工藝全球研發中心，並投資 2 億港元，預計創造超過 250 個微電子相關職位，推動香港成為國際創新科技中心。
▲創新科技及工業局局長孫東對麻省光子技術落戶香港表示歡迎（圖片來源：政府新聞網）
氮化鎵是一種堅硬且非常穩定的半導體材料，適用於高溫和高電壓下的運作。麻省光子技術將在新建的微電子中心（MEC）設立 8 吋氮化鎵外延片中試線，並與本地微電子專家合作，開發下游的氮化鎵光電子和功率半導體器件，目標是建立完整的氮化鎵外延技術和產品專利。麻省光子技術的氮化鎵晶圓可應用於新一代車載充電器、DC─DC 轉換器、驅動逆變器和充電樁系統，其效率超過具有類似額定值的碳化矽（SiC）器件。公司行政總裁廖翊韜表示，作為首間進駐香港的氮化鎵外延技術公司，麻省光子技術將致力推動高階半導體晶圓技術的研發和量產，並利用香港的國際市場地位，積極參與全球半導體競爭。
麻省光子技術計劃在 3 年內達至年產 1 萬片
8 吋氮化鎵晶圓的產能，將香港製造的外延片產品推向全球市場。公司預計，發展將創造超過 250 個微電子相關的就業職位，涵蓋外延片及裝置設計、生產流程發展等領域。創新科技及工業局局長孫東亦對麻省光子技術落戶香港表示歡迎，強調氮化鎵外延工藝是發展第三代半導體的關鍵技術。他相信，麻省光子技術在港設立研發中心，將加速推動香港新型工業化及微電子生態圈的發展，並助力香港壯大創科人才庫。