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俄羅斯推動半導體國產化 2030 年前實現 65nm 製程晶片自力生產

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Lawton
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隨著先進晶片禁止出口政策,俄羅斯也決定自行研發晶片。俄羅斯政府近日宣布將投入超過 2400 億盧布(約港幣 192 億元)用於提升本國半導體設備的自給能力,並計劃在 2030 年前實現國內生產 65nm 製程晶片。

 

俄羅斯產業貿易部、國際科學技術中心將聯合推動自國晶片生產,涵蓋 110 個研究開發項目,目標是大幅提升國產化比例。目前俄羅斯電子裝置製造業所使用的 400 多款設備中,僅 12% 能在國內生產,其餘設備仍依賴進口。為此俄羅斯計劃期望能將設備和材料的國產化率提升至 70%。

 

計劃的具體目標包括:在 2026 年底前實現從單晶體生長、切割、乾燥、清潔、元件形成到出貨檢測等製程都使用國內設備完成;開發適用於 350nm 和 130nm 製程的紫外線曝光設備;以及開發適用於 150nm 製程的電子束光刻機。到 2030 年,目標是達成 65 至 90nm 製程光刻機的生產能力。

 

此外該計劃還涉及材料和化學品的開發、自動化設計系統的建立等技術提升。由於受到來自美國和其他西方國家的經濟制裁影響,設備價格上升了 40% 至 50%,為此俄羅斯政府預計需要投入 2400 億盧布來應對這一挑戰。

 

雖然投資對於俄羅斯的電子製造業來說相當重要,但相較於全球半導體產業的投資規模,這筆資金仍顯不足。這筆 2400 億盧布的預算只相當於俄羅斯對烏克蘭戰爭防禦開支的 1/57,專家對該計劃能否如期實現持保留態度。

 

資料來源:Tom’s Hardware


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