台積電 TSMC 於 2025 年第 4 季正式啟動 2 納米（N2）製程量產，標誌全球半導體產業進入全環繞閘極（GAA）架構新時代。與過往重大製程突破時盛大發布不同，TSMC 這次僅在官網技術頁面低調更新文字：「TSMC 2 奈米（N2）技術已按計畫於 2025 年第 4 季開始量產」。
TSMC 首個採用 GAA 納米片電晶體製程節點為 N2 製程，其閘極完整包覆由水平堆疊納米片構成通道，大幅提升電磁控制力並減少漏電問題。相比前代 N3E 製程，N2 在相同功耗下可提升 10% 至 15% 效能，或在相同效能下降低 25% 至 30% 功耗。對於混合設計，電晶體密度提升約 15%，純邏輯設計更可達 20% 提升。
N2 製程亦導入超高性能金屬絕緣體金屬（SHPMIM）電容器，為供電網絡提供比前代設計高出兩倍以上電容密度，同時將片電阻與通孔電阻各降低 50%，進一步改良供電穩定性與整體能源效率。
TSMC 選擇高雄 Fab 22 廠率先啟動 N2 量產，而非原先預期的新竹寶山 Fab 20 廠。有媒體報導指出，Fab 22 廠區將建設 5 個 Phase 全部用於 2 納米家族生產，包括 2026 年推出採用背面供電技術的 A16 製程。TSMC 行政總裁魏哲家於 10 月法說會表示，N2 製程進展順利且良率良好，2026 年受惠於智能電話與 AI 高效能運算應用驅動，將達成更快速產能提升。
同時啟動兩座 N2 產能晶圓廠，反映出多家客戶對此技術強勁需求。有媒體透露，TSMC 直到 2026 年底 2 納米產能已被全數訂完。
Apple 已預訂 TSMC 超過一半 2 納米產能，用於 2026 年推出 iPhone 18 系列 A20 處理器、MacBook M6 晶片及 Vision Pro R2 晶片。2 納米製程相比 3 納米世代，預計提供約 15% 更快效能、30% 更佳能源效率，以及更高電晶體密度。
TSMC 主要競爭對手 Samsung 已於 2025 年第 4 季開始量產自家 2 納米 GAA 製程，但其公布效能數據相對保守。Samsung 第一代 2 納米 GAA 製程相比第二代 3 納米製程，效能提升僅 5%、能效改善 8%、面積縮減 5%，良率約在 55% 至 60% 範圍。外界認為這可能與良率尚未完全改良有關。
相比之下，TSMC 選擇在 3 納米製程繼續使用 FinFET 架構，直到 2 納米才轉向 GAA 技術，展現出「重心放在品質而非速度」策略。
TSMC 已規劃清晰後續路徑，將於 2026 年下半年量產 N2P 製程，在 N2 基礎上進一步強化性能與功耗。更受矚目 A16 製程結合 N2P 技術並導入超級電軌背面供電技術，特別適用於複雜 AI 與高效能運算產品。TSMC 預計 2026 年 2 納米月產能將達 90,000 片晶圓。
Intel 18A 製程則預計提供 15% 性能提升與 30% 晶片密度改善，期望能與 TSMC 在先進製程市場競爭。
資料來源：科技新報