長江存儲在面臨美國出口限制和實體清單的重重壓力下，已成功利用國產半導體設備替代部分美系設備，並持續穩步發展。根據最新報導，這家中國大陸主要 3D NAND 製造商使用中微半導體和北方華創等本土企業的設備，成功製造出具備競爭力的 3D NAND 快閃晶片。雖然在堆疊層數上有所妥協，但這標誌著中國產技術的巨大進步。
根據 TechInsights 的分析，自 2022 年美國實施先進半導體設備出口限制後，長江存儲面臨了前所未有的挑戰。然而這家公司逐步轉向使用國產半導體設備，尤其是來自中微半導體、中國北方華創及拓荊科技等企業的產品，成功替代部分美國供應商的關鍵設備。
TechInsights 報告指出，長江存儲雖然仍依賴荷蘭 ASML 和美國科林集團（Lam Research）等國外廠商的技術支持，但中國國內設備供應商已逐步承擔了生產流程中的更多責任。這個轉變大幅減少了美國制裁對長江存儲的影響，並讓該公司能夠繼續推進其產品的技術升級。
長江存儲依賴其自主研發的 Xtacking 架構，使3D NAND層數堆疊達到 232 層，與美光、三星、SK海力士等全球領導廠商相比仍具有一定競爭力。Xtacking 3.0和 Xtacking 4.0 技術的推出，使得長江存儲的產品能夠支持世界上一些高階 SSD 產品的性能需求。
資料來源：台灣經濟日報
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