韓國科技巨頭三星電子近日已正式啟動 1nm 半導體製程研發項目，並把 2029 年訂為實現量產的目標時限。三星希望透過這項技術突破，重奪在高階晶片市場的話語權，在與台積電的正面交鋒中逆轉劣勢。
消息指出，三星半導體研究所已經組建專責 1nm 製程的研發團隊，並抽調曾參與 2nm 製程開發的人手加入，顯示內部對這項計劃的重視程度。該公司將 1nm 製程形容為「夢想中的半導體技術」，但實現難度極高，必須引入全新製程概念和高數值孔徑極紫外（High-NA EUV）光刻設備。目前在三星公開的製程路線圖上，計劃在 2027 年量產 1.4nm 製程，至於 1nm 則定於 2029 年。業界普遍認為，即使是技術成熟的台積電，也尚未掌握 1nm 製程量產的明確時間表。儘管如此，三星內部壓力極大，三星集團會長李在鎔多次在內部強調，要「延續重視技術的傳統」，更表示必須「以破格的技術引領未來」。
在過去的 3nm 技術競爭中，三星試圖憑藉採用更先進的 GAA 架構脫穎而出，主動放棄 FinFET 技術。惟事與願違，GAA 技術門檻極高，三星未能掌握其中關鍵技術，導致晶圓良率遠低於預期。反觀台積電雖繼續使用被視為較舊的 FinFET 架構，卻成功將 3nm 製程良率推高至 80% 以上，技術與穩定性雙雙佔上風，令三星在高階市場遭遇挫敗。台積電預計會在 2026 年下半年實現 2nm 製程量產，甚至也在同步籌備 1nm 技術研發。在目前的競爭格局中，台積電持續佔據技術領先位置，三星則寄望透過加速研發節奏和高層政策傾斜尋求突圍。
來源: 熱點科技
