華為正全力推進次世代晶片技術，並預計在 2026 年量產國產 3nm 晶片。消息透露，華為正在同步研發 GAA（Gate-All-Around）架構與碳納米管技術，並與中國最大晶圓代工企業中芯國際（SMIC）緊密合作，加快突破技術瓶頸，令中國半導體行業將在美國技術封鎖下，邁向自主高階製程的重要一步。
受到美國長期出口限制影響，荷蘭設備商 ASML 無法向中國出售關鍵 EUV（極紫外光）光刻機。面對這項限制，華為選擇另闢蹊徑，轉向使用上海微電子生產的 SSA800 光刻設備，配合多重曝光技術成功實現 5nm 製程。雖然這種做法比 EUV 製程更複雜、良率也相對較低，但華為已成功將其整合進旗下消費性產品，顯示其研發與生產實力逐步成熟。
除了 5nm 技術進展外，華為亦早已著手 3nm 製程開發。消息指華為現正採取「雙軌並行」策略，一方面以主流的 GAA 架構為核心技術路線，另一方面則積極投入碳基晶片的前沿探索。這種碳納米管為主的設計預期可帶來更高效能和更低耗電，效能潛力可達傳統矽晶片的 10 倍。由於目前僅有 Samsung 嘗試在 3nm 應用 GAA 設計，外界關注華為是否可能與其建立合作或技術交流機會。
在產品方面，華為最近推出的 Matebook Fold 採用 Kirin X90 晶片，雖則對外宣稱為 5nm 製程，但技術分析顯示實際為 7nm 設計，並透過封裝技術作出最佳化。儘管未達最先進標準，這種創新設計顯示華為具備靈活調整與整合技術的能力，亦為其研發 3nm 晶片鋪路提供重要經驗。
目前華為與中芯國際正合作優化生產方案，期望在無須依賴 ASML 設備的情況下實現 3nm 晶片量產。新一代 GAA 晶片將採用「二維材料」取代傳統矽通道設計，預期能在更小尺寸下實現更佳效能表現，並大幅降低功耗。業界人士指出，這項研發若成功，不但可令中國在高端晶片領域擺脫西方技術壟斷，亦有望改變全球半導體競爭格局。
雖然華為過往亦曾提出多項具野心的計劃，最終未必全部實現，但隨著其 5nm 晶片已成功商品化，加上整個供應鏈已趨向垂直整合，外界普遍認為華為研發 3nm 晶片的計劃具備實質落地潛力。從手機、AI 到高效運算，華為在多個技術領域的投資與突破，或將為中國半導體產業帶來新一輪變革。
資料來源：Wccftech
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