智能手機的運算能力越來越高，下載速度亦越來越快，儲存晶片的讀寫速度亦需要配合，方可以發揮每個環節的最高效能。日前 Samsung 就宣佈開始大規模投產 512GB 的 eUFS 3.1 儲存晶片，它的特點就是其讀寫速度較上一代更快。
Samsung 表示 512GB 的 eUFS 3.1 儲存晶片，連續寫入速度將超過 1,200MB/s，比起現時相同容量 eUFS 3.0 儲存晶片的 400MB/s，速度快達 3 倍。同時 512GB 的 eUFS 3.1 儲存晶片的隨機讀寫表現為 100,000 / 70,000 IOPS，亦較 eUFS 3.0 的產品快 60%。Samsung 指新儲存晶片只需 90 秒就能完成 100GB 的檔案傳輸，舊款要 4 分鐘以上，特別適合用於儲存 8K 高解像度影片。
有指 Samsung 可能會將 512GB 的 eUFS 3.1 儲存晶片，率先應用於下半年的旗艦手機 Galaxy Note 20 系列；之後 Samsung 還會陸續生產和供應 128GB 和 256GB 的 eUFS 3.1 儲存晶片。
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