中國記憶體製造商長鑫存儲（CXMT）宣布，預計 2026 年底推出結合 4F² DRAM 架構及混合鍵合（Hybrid Bonding）技術的新一代 DDR5 RDIMM 伺服器記憶體。外媒比較長鑫公布的時間表與三星電子預計在 2028 年導入同類架構的計劃，認為長鑫可能搶先約兩年。不過新產品尚未正式推出，實際量產時間及效能仍有待驗證。
長鑫存儲總裁曹堪宇在 10 月 9 日至 10 日於上海舉行的第四屆集成芯片和芯粒大會上，介紹公司在新型 DRAM 架構、垂直晶體管及混合鍵合技術方面的研發進展，並首次公布新一代 DDR5 RDIMM 的推出時間目標。
4F² 架構縮小記憶體單元 理論密度提升最多 50%
目前主流 DRAM 採用 6F² 記憶體單元架構，而長鑫研究的 4F² 技術則進一步縮小每個單元佔用的晶片面積。F 代表晶片製程的最小特徵尺寸，在相同 F 值下，由 6F² 改為 4F²，理論上可將單元面積縮減約三分之一，令相同面積容納更多記憶體單元。
若只比較記憶體單元面積，理論密度可提升約 50%。但實際晶片容量還受周邊電路、製程及晶片設計影響，不能直接推斷成品容量必然增加 50%，或製造成本下降三分之一。
曹堪宇表示，長鑫技術的核心是自行研發的 VSG（Vertical Surrounded Gate）垂直環繞閘極晶體管。這種設計將傳統水平方向的晶體管通道改為垂直結構，加強閘極控制能力，改善製程微縮帶來的漏電及短通道效應問題。
由於 4F² 架構涉及全新晶體管設計，原有 6F² 的製造工序不能直接沿用。長鑫需要重新調整字線金屬化、位線形成及結激活等製程。公司披露，目前已建立逾 300 個相關公開專利族，並於 2021 年、2023 年及 2025 年發表相關技術研究。
外媒推算領先三星兩年 仍需等待正式量產
科技媒體 Wccftech 報道，三星電子預計在 2028 年導入 4F² DRAM 架構。若長鑫能在 2026 年底推出相關產品，單以產品發布時間比較，便可能取得約兩年的先機。
不過這項比較依據的是兩家公司不同的預期時間表，並非已確認的量產成績。長鑫目前只表示新產品預計年底推出，尚未公布具體容量、傳輸速度、功耗、良率、客戶認證結果及大規模量產日期。因此現階段仍不能確認長鑫將較三星提前兩年實現商業量產。
首款產品瞄準 AI 伺服器 不代表消費級 RAM 即將降價
長鑫計劃率先把新架構應用於 DDR5 RDIMM，即伺服器常用的註冊式記憶體模組。這類記憶體主要供數據中心及高效能運算系統使用，對穩定性、相容性及長時間運作的要求較高。
更高記憶體密度有助伺服器在有限主機板插槽內配置更大容量 RAM，對需要大量系統記憶體的 AI 及雲端運算工作尤其重要。不過 RDIMM 與一般桌面電腦使用的 UDIMM 並非可直接互換的產品，今次公布亦不代表消費級 DDR5 價格會立即下降。
長鑫早於 9 月 20 日宣布第五代 DRAM 技術平台 G5 正式量產，並推出採用該平台的 24Gb LPDDR5X 晶片。公司表示，G5 每片晶圓可生產的晶粒數量較上一代增加至少 50%。但已量產的 G5 平台產品與今次預告的 4F² DDR5 RDIMM 屬不同產品進展，不能視為後者已經投入量產。
