現代人越來越多數據需要儲存，因此意味着需要更大的記憶體。Samsung 近日宣佈推出業界首個基於 High-K Metal Gate（HKMG）製程的 512GB DDR5 模組，為 DDR5 DRAM 的產品再增一員，其性能是 DDR4 的兩倍以上，而且速度可達 7,200 Mbps。
Samsung 近日推出新款的 DDR5 記憶體，是業界首個基於 High-K Metal Gate（HKMG）製程的 512GB DDR5 模組。基於 HKMG 技術的 DDR5，性能是 DDR4 的兩倍以上，而且速度可達 7,200 Mbps。而和之前產品相比，新推出的 DDR5 記憶體功耗降低約 13%，且透過矽穿孔（TSV）技術，可以堆疊八層 16Gb DRAM 晶片，實現最大的 512GB 容量。
Samsung 表示，隨著 DRAM 結構不斷縮小，絕緣層變薄，使得電流更容易洩漏，而採用 HKMG 技術，將可以減少電流洩露的機會率並進一步提升記憶體性能。Samsung 亦指出，隨著數據量發展一日千里，記憶體朝 DDR5 發展絕對會成為一大趨勢。而透過 HKMG 技術所製成的 DDR5，將可滿足不同範疇的需求。
資料來源：Samsung
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