繼美國及荷蘭後，日本於 7 月 23 日亦正式限制半導體製造設備出口，對中國整編製造領域乃至半導體產業造成壓力。近日有消息指，中國上海微電子預計在今年（2023 年）底能夠交付首部中國產 28nm 浸潤式光刻機。
光刻機是半導體工業最重要的設備，亦是晶片製造的關鍵設備。光刻機優劣決定晶片的工藝水準和性能。目前世界主流光刻機市場主要被荷蘭的 ASML、日本的 Canon 和 Nikon 壟斷，其中高端極紫外光刻機（EUV）的市場份額更是由荷蘭 ASML獨佔鰲頭。據中時新聞報道，EUV 光刻機製作難度極高，因為一部 EUV 光刻機內有超過 45 萬件零件，比一輛 F1 賽車多出 20 倍以上。而即使就算是EUV 光刻機巨頭 ASML 亦只能生產其中 15%，另外 85% 需要整合全球供應鏈得來。 因此，中時新聞指出，中國要推動光刻機是一個高難度任務。
據報中國上海微電子已能自主生產非最先進製程的中高端光刻機。據台媒引述消息人士指，中國上海微電子正在研發 28 nm 浸潤式 DUV 光刻機，並預計在 2023 年底將第一部中國製 SSA/800-10W 光刻機設備交付市場。2022 年底華為亦公布了一項名為「反射鏡、光刻裝置及其控制方法」（CN115343915A）的新專利，據悉未來可以在 EUV 光刻機核心技術上取得進展。
中國目前有量產 90nm 以上光刻機的技術，但與國際先進水準仍有差距。
圖片、資料來源：China Times
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