速度快 NAND flash 1000 倍!HP 及 SanDisk 合作研發全新 ReRAM 記憶體

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十月 13, 2015 •科技趣聞

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隨著科技發展,目前的記憶體已經變得越來越強勁,不過不久將來一款速度更快的記憶體或會誕生。因為 HP 及 SanDisk 日前就宣佈將會展開合作關係,並會研發一種全新的 ReRAM(可變電阻式記憶體)技術,而且據稱速度將會比傳統的 NAND flash 快 1,000 倍有多!

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繼早前 Intel 及 Micron 宣佈合作研發超高速的 3D Xpoint 記憶體之後,如今就連 HP 及 SanDisk 亦計劃發展超高速記憶體。其實最近幾年 HP 就一直致力研發憶阻器(memristor)技術,而由於這種技術在製作 ReRAM 上會起到關鍵性作用,於是 HP 便決定與 SanDisk 合作,並研發一種速度比 NAND flash 快 1,000 倍的 ReRAM 記憶體,據知體積、成本及耗電量等都會比 DRAM 更低,非常適合用來應付龐大數據傳輸。

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一般相信繼 DRAM 及 NAND flash 之後,ReRAM 將會成為今後記憶體市場上的一大重要角色。由於 ReRAM 是屬於非揮發性(non-volatile)記憶體,切斷電源後資料也不會消失,再加上內部結構比較簡單,因此在進一步縮減記憶體體積這一點可說是相當有利。不過需要注意由於 ReRAM 的發展仍處於起步階段,因此這種記憶體可能要再等數年才能正式投入市場。

來源:bit-tech

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