隨著科技發展，目前的記憶體已經變得越來越強勁，不過不久將來一款速度更快的記憶體或會誕生。因為 HP 及 SanDisk 日前就宣佈將會展開合作關係，並會研發一種全新的 ReRAM（可變電阻式記憶體）技術，而且據稱速度將會比傳統的 NAND flash 快 1,000 倍有多！
繼早前 Intel 及 Micron 宣佈合作研發超高速的 3D Xpoint 記憶體之後，如今就連 HP 及 SanDisk 亦計劃發展超高速記憶體。其實最近幾年 HP 就一直致力研發憶阻器（memristor）技術，而由於這種技術在製作 ReRAM 上會起到關鍵性作用，於是 HP 便決定與 SanDisk 合作，並研發一種速度比 NAND flash 快 1,000 倍的 ReRAM 記憶體，據知體積、成本及耗電量等都會比 DRAM 更低，非常適合用來應付龐大數據傳輸。
一般相信繼 DRAM 及 NAND flash 之後，ReRAM 將會成為今後記憶體市場上的一大重要角色。由於 ReRAM 是屬於非揮發性（non-volatile）記憶體，切斷電源後資料也不會消失，再加上內部結構比較簡單，因此在進一步縮減記憶體體積這一點可說是相當有利。不過需要注意由於 ReRAM 的發展仍處於起步階段，因此這種記憶體可能要再等數年才能正式投入市場。
來源：bit-tech
