日本記憶體大廠 KIOXIA 於 8 月 3 日宣布推出全新記憶體擴充模組「KIOXIA XL1」系列，將原本主要用於儲存裝置快閃記憶體轉化為記憶體擴充方案，藉此填補 AI 運算對 DRAM 需求急增造成的缺口。公司計劃在 8 月內向業界夥伴出貨評估樣品，並在美國加州聖克拉拉舉行的 FMS: The Future of Memory and Storage 展覽參考展出這款產品。
技術結合 CXL 介面
XL1 系列結合低延遲快閃記憶體 XL-FLASH 與 Compute Express Link（CXL）介面，將存取頻率較低的資料放置在此模組，提升 DRAM 使用效率。KIOXIA 表示這項技術期望能填補傳統 DRAM 與 SSD 之間在效能及成本上的落差，讓超大規模數據中心環境具備更大記憶體擴充彈性。目前樣品部分功能仍未完全驗證，公司日後或會調整規格。
業界正面對 AI 記憶體樽頸
隨著 AI 模型參數量及運算負載持續上升，記憶體樽頸已成業界共同挑戰。Samsung 半導體早前亦發表技術文章，指出 CXL 記憶體池化方案可在 AI 推理場景中，提供接近 DRAM 的效能及更大規模記憶體擴充能力，反映多間大廠正朝相似方向研發解決方案。
KIOXIA 在同一展會上亦有另一款產品獲得肯定。公司搭載第二代 XL-FLASH 的超高 IOPS SSD「KIOXIA GP1」系列，在 FMS 的 Specialized Storage 組別奪得 Best of Show Award。該產品採用 PCIe 6.0 及 NVMe 2.2 介面，在 512 位元組資料存取下，提供最高 1,000 萬次隨機讀取 IOPS，未來目標進一步擴展至 1 億 IOPS，藉此提升 AI 工作負載下的 GPU 使用率。
資料來源：KIOXIA
