美國 AI 及半導體政策研究機構 Center for Technology & Statecraft 發表報告警告若容許高階 DUVi 曝光機繼續輸往中國，美國及盟友在 AI 晶片領域領先優勢將在 5 至 10 年內縮小甚至消失。報告建議全面禁止向中國出口 DUVi，並堵塞現有出口漏洞。

 

中國難以自行量產

製造具競爭力 AI 晶片需要高階半導體曝光機。CTS 報告估計中國到 2030 年代中期仍不太可能大規模量產這類裝置，美國及盟友因此可保持領先。

 

不過特朗普政府已打算容許中國輸入能製造高階 AI 晶片 DUVi 曝光機。DUVi 即深紫外線浸潤式曝光機，過往已有較低階型號獲准出口。報告警告若高階 DUVi 以相同速度輸出，中國將在 5 至 10 年內取得足夠晶片製造能力。

▲研究機構顯示如繼續輸出先進半導體製造裝置到中國（左圖）中國晶片的製造能力（左圖的紅色區塊），右圖為不輸出下的預估分析

 

漏洞令管制形同虛設

按現行標準美國及盟友禁止出口極紫外線曝光機及特別高階 DUVi。部分高階 DUVi 需要申請許可證，較低階 DUVi 及乾式 DUV 則毋須許可證。CTS 認為許可證制度實際上幾乎全數批准，主張除乾式 DUV 外全面禁止出口。

 

CTS 估計中資晶圓廠截至 2026 年初已取得 343 部浸潤式 DUV，其中約 270 部是 ASML 的 NXT:1980i。中國在 2024 及 2025 年合共斥資逾 130 億美元（約港幣 1,014 億元）購入這款型號。CTS 同時指出原本用於成熟製程裝置可改作先進製程，令管制出現缺口。

 

報告以兩個情境推算影響。若中國每年繼續進口約 90 部 NXT:1980i，2035 年 H100 同等晶片年產能最高可達 4.34 億顆。若 2027 年起停止進口，產能上限降至 1.53 億顆，中國 AI 晶片產量亦追不上美國。

 

建議措施

CTS 提出若荷蘭及日本態度消極，美國可動用外國直接產品規則限制出口。美國亦可引用出口管理規則，叫停使用美國工具的 ASML 工廠。

 

美國國會兩黨議員今年 4 月提出 MATCH Act，要求盟友在 150 日內配合美國限制 DUV 出口及維修服務。法案截至今年 8 月中仍未成為法律。

 

中國同時加快自製。Reuters 今年 7 月報道國企 Shanghai Aishengna 已開始量產國產浸潤式 DUV，今年約生產 5 部，2027 年約 20 部。

 

資料來源：Center for Technology Statecraft