科學家成功製造 1nm 電晶體,突破物理極限

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十月 9, 2016 •科技趣聞

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電晶體這個聽起來很難理解的東西,其實是手中所有電子產品運作的核心,其中的技術不斷在高速發展,令運算速度亦有所提升。最近這方面的研究更有重大突破。

一直以來科學界都認為小於 5nm 的線寬,會出現量子力學中的量子穿隧效應,部分電子可能穿過閘極造成漏電流,甚至有可能令電晶體整個無法關閉造成失控。來自 UC Berkeley 的研究員 Sujai Desay 表示,使用納米碳管和二硫化鉬(MoS2)等物料,就可以解決這個限制,控制電子流不會漏出。

現時例如台積電等晶體製造商都在積極研製更細小的電晶體,早前透露過正在研發 3nm 的電晶體時已經震撼業界,而今次 UC Berkeley 的研究雖然成功製造 1nm 電晶體,但研究仍然在初步階段,要實際量產仍然有漫長的研發要進行。不過證實了 5nm 的限制是可以突破之後,對於未來電晶體技術發展可說是打了一支強心針。

來源:UC Berkeley

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