根據投資研究機構 Bernstein（伯恩斯坦）最新報告顯示，Huawei 最新研發的 Kirin 9050 Pro 晶片，將與 Apple 的技術差距縮短至約 3 年。在 Geekbench 6 多核心測試中，Kirin 9050 Pro 的跑分表現更超越 Apple 於 2023 年發佈的 3nm A17 Pro 晶片，多核效能相較前代 Kirin 9030 Pro 提升約 20%。
無須 EUV 光刻機 首創「邏輯摺疊」垂直堆疊架構
報告指出，Huawei 這枚首次現身在早前發佈的全新三摺手機 Mate XT2 Ultimate Design 的晶片未有依賴 EUV 光刻機，改為採用 DUV 多重曝光技術，並配合「韜定律」框架下的「邏輯摺疊」技術。這項架構創新將邏輯單元垂直堆疊並密集互連，顯著縮短訊號傳輸距離。技術令電晶體密度由以往每平方毫米約 1 億 5,500 萬個，大幅增至約 2 億 3,800 萬個，增幅超過 50%，密度表現已直逼台積電第一代 3nm 製程。
能效與繪圖大幅升級 量產仍需克服良率散熱考驗
除了純效能提升，Kirin 9050 Pro 在功耗控制方面亦有突破。在相同效能輸出條件下，NPU 功耗降低 66%，GPU 功耗減少 58%，CPU 效能核功耗亦下降 41%。與上一代相比，GPU 效能增加 39%，NPU 吞吐量更大增 150%。Bernstein 認為這是一次「被低估的突破」，證明架構創新能取代製程微縮帶動晶片進步。不過，報告同時提到，3D 堆疊技術於大規模量產時，依然要面對良率與散熱控管等工程挑戰。
