杭州初創企業璞璘科技（Prinano）近日宣布，與深圳力策科技合作，採用自主研發真空氣壓式納米壓印方案，成功完成 8 吋光晶片可規模化量產驗證。整個生產流程完全不需要 ASML 的深紫外（DUV）光刻機，製造成本僅為傳統 DUV 方案的十分之一。
▲ PL-AS 半導體級真空氣壓式納米壓印機 ( 快科技）
突破核心技術
此次量產突破的核心裝置是璞璘科技自主研發的 PL-AS 真空氣壓式晶圓級納米壓印光刻設備，配合特製化雙層壓印膠材料體系。有別於業界主流的輥壓線接觸模式及佳能噴墨步進式路線，PL-AS 採用「空氣墊」面接觸壓印原理，可將晶圓整面壓力均勻性誤差控制在 0.5% 以內，殘餘層厚度偏差小於 2nm，線寬解像度可達 10nm 以下。
一次成型降低成本
納米壓印技術最大優勢在於跨尺度微納結構的一次成型。傳統 DUV 光刻在製造光芯片時，從數十納米到數微米的複雜結構需要多道工序與多台裝置協同完成；納米壓印只需將所有結構製作在同一片模板，一次壓印即完成複刻，大幅縮短生產週期並降低良率損耗。目前該技術已在光通訊、感應及雷達等多個光芯片領域完成量產驗證。
業界質疑仍存
《南華早報》指出，納米壓印技術在量產規模、良率及非光子晶片領域的適用性尚未獲充分驗證。研究機構 SemiAnalysis 也表示，雖然納米壓印裝置本身成本較低，但實際成本優勢取決於產能、模板生產、缺陷率及工藝整合水平，短期內難以替代 DUV 和 EUV 在先進邏輯晶片製造中的主導地位。璞璘科技未披露具體生產良率、出貨量、客戶訂單及獨立驗證數據，商業化規模仍有待觀察。
差異化突圍策略
此次突破折射出中國科技企業在美國主導的出口管制壓力下，積極探索差異化技術路線的整體趨勢。從華為提出的韜（τ）定律將重心轉向系統級數據傳輸、先進封裝與三維整合，到各類裝置初創企業在細分晶片領域尋找實用製造替代方案，國產半導體產業正以多條路徑突破技術封鎖。值得關注的是，日本印刷株式會社（DNP）於 2025 年底宣布成功開發 10nm 線寬納米壓印光刻模板（相當於 1.4nm 製程），目標 2027 年開始量產，顯示納米壓印在全球範圍正引發廣泛討論。
成立於 2017 年的璞璘科技，創辦人葛海雄師從納米壓印技術發明人、美國工程院院士周郁（Stephen Y. Chou）。周郁於 1995 年在普林斯頓大學發明納米壓印技術，被譽為「納米壓印之父」。2025 年 8 月，璞璘科技已交付中國首台自研半導體級 PL-SR 系列納米壓印光刻裝置；此次 8 吋光芯片量產驗證所用的 PL-AS 氣壓式裝置，標誌該公司在晶圓級大面積壓印方向的進一步突破。
資料來源：快科技
