中芯國際聯合創辦人謝志峰博士在最新訪談表示，晶片行業存在製程越先進晶片就越好的誤解。他引用 Samsung 5nm 及 4nm 製程出事為例，直言業界應以客戶實際使用體驗判斷晶片好壞，而非製程數字大小。
Snapdragon 888 及 8 Gen 1 發熱嚴重
謝志峰指出，Samsung 5 nm 製程 Snapdragon 888 與 4 nm 製程 Snapdragon 8 Gen 1 雖然製程數字先進，但實際體驗並不理想。晶片發熱嚴重，導致降頻及降低螢幕亮度，甚至出現 Wi-Fi 模組過熱損壞問題。實測數據顯示，Snapdragon 888 CPU 大核功耗達 3.16 W，GPU 滿載功耗更高達 8.34 W，被用戶戲稱為「火龍」。網上亦流傳大量小米及 Realme 等機款因 Snapdragon 888 與 Snapdragon 8 Gen 1 發熱過高，引致 Wi-Fi 模組虛焊損壞的維修案例。有分析指出，正因 Samsung 工藝出現問題，Qualcomm 由 Snapdragon 8+ Gen 1 起改用 TSMC 代工，發熱問題才得以改善。
晶片好壞看成效不看背景
謝志峰認為，晶片好壞應該「不看背景看成效」，產品最終要令客戶滿意才算成功。消費者更關心實際使用體驗，而非製程工藝數字大小。
國產過渡方案：DUV 多重曝光及邏輯摺疊
在國產 EUV 光刻機面世之前，謝志峰指中國仍有兩條過渡路線。第一條是 DUV 多重曝光技術，可以在不依賴 EUV 的情況下實現相近晶體管密度，但步驟複雜且成本較高。第二條路線則是華為提出的邏輯摺疊技術，依靠現有浸潤式 DUV 及多重圖案化技術，透過電路堆疊設計繼續提升晶片效能指標。華為半導體部門總裁何庭波 5 月在 IEEE ISCAS 會議上正式公布這項技術，官方宣稱透過將電路垂直堆疊，晶體管密度可比傳統平面設計高出約 55%，但這個數字未經獨立驗證。有報道進一步指出，華為將於今年秋季推出的麒麟 2026 晶片會首度完整商用邏輯摺疊技術，晶體管密度由 155 MTr/mm² 提升至 238 MTr/mm²，單代提升 53.5%，逼近 TSMC 初代 3 nm 工藝水平，核心主頻提升至 3.1 GHz。業界人士提醒，這項技術的良率、功耗與散熱數據暫未公開，實際表現仍需等秋季實機測試驗證。華為規劃透過這套「韜（τ）定律」框架，目標到 2031 年以 3D 架構設計實現等同 1.4 nm 製程的密度，而非透過實際光刻達到這個精細度。
追求等效效能非命名數字
謝志峰指出，晶片製程命名本身並不重要，中芯國際技術路線由 14 nm 開始，後續命名為 N+1 及 N+2，追求的是等效效能而非命名數字，客戶滿意度才是最終目標。謝志峰為中芯國際創始團隊核心成員之一，曾任副總裁兼歐亞區業務總經理，現任正威國際集團半導體事業群總裁，深耕半導體行業近 40 年。
資料來源：快科技
