德國光學大廠 Zeiss 半導體部門負責人 Frank Rohmund 表示，中國在最尖端晶片製造裝置研發方面，大約落後西方 15 年。UBS 分析師團隊本周亦發表報告，推斷中國至少要 10 年後，才有可能自行開發出可取代 ASML 頂尖 EUV 技術的方案。
Frank Rohmund 接受彭博電視訪問時指出，北京要研發出極紫外光（EUV）微影機，大約還需要 15 年，屬「合理推測」，但他坦言中國實際研發進度難以量化。他表示北京數十年來一直投放資源研發相關技術，近期外界流傳中國取得進展的報道，其實並不令人意外，現時更應觀察裝置實際效能。Frank Rohmund 強調，Zeiss 與 ASML 目前仍掌握關鍵光學技術，「我們仍然遙遙領先」。Zeiss 是 ASML EUV 機台光學元件獨家供應商，自家零組件用於生產全球約 80% 晶片，而 ASML 是全球唯一能製造 EUV 微影機的廠商。ASML 早於 2017 年以 10 億歐元（約港幣 92.2 億元）收購 Zeiss 半導體事業少數股權。
▲ Bloomberg 圖片
瑞銀：技術水平等同 ASML 2004 年
由 Francois-Xavier Bouvignies 帶領的 UBS 分析師團隊，在報告中透過檢視中國在光源與雷射子系統相關專利申請活動，評估中國現時 EUV 技術成熟度，大約相當於 ASML 在 2004 年、即量產 EUV 裝置前 15 年水平。報告認為中國要在 10 年內開發出足以取代 ASML 頂尖 EUV 技術的方案，難度相當高。不過 UBS 同時預期，中國有能力在 2 至 5 年內，實現浸潤式深紫外光（DUV）微影機量產，較追趕 EUV 容易得多。報告又指，由於良率與產能料與 ASML 存在差距，加上監管限制，中國製造微影機相信只會在境內使用。
深圳團隊已建成 EUV 原型機
Reuters 去年底獨家報道，一支由前 ASML 工程師組成的團隊，在深圳一個高度保密實驗室，早於 2025 年初已完成一部 EUV 原型機，規模幾乎佔滿整層廠房。原型機目前仍在測試階段，已能成功產生極紫外光，但尚未製造出可用晶片。報道引述知情人士指，中國政府設定目標為 2028 年前於原型機上實現晶片生產，惟參與項目人士認為 2030 年是較實際時間表。報道又指，中國原型機落後 ASML 主要因研究人員難以取得類似 Zeiss 精密光學系統，團隊需靠拆解舊款 ASML 二手零件，以及日本 Nikon、Canon 受限制出口零件拼湊而成。
出口管制影響惹關注
Frank Rohmund 提到，若未來出口管制進一步擴大至傳統 DUV 裝置，將對產業造成不利影響，他明確表示：「我們不相信這些出口管制會帶來正面效果，因為這反而會加速中國創新。」中國目前是 ASML 上一代 DUV 晶片製造裝置重要市場之一，而美方已要求 ASML 部分較先進浸潤式 DUV 裝置出口中國前須取得許可，並全面禁止最先進 EUV 裝置出口該國。市場消息亦指，一家上海企業已開始製造浸潤式 DUV 裝置，反映中國在較低階製程上進展較快。ASML 現時最先進 EUV 機台造價逾 2 億美元（約港幣 15.6 億元），浸潤式 DUV 機台則約 9,000 萬美元（約港幣 7.02 億元）。分析普遍認為，中國要在最尖端晶片製造領域完全追上西方仍需一段長時間，但在較成熟技術上收窄差距的速度，可能比市場預期為快。
資料來源：Business Standard、Reuters
